Por vaporização química

 Hidrogenação de amorfo (a-Si:H) por vaporização química (DVC) em um reator de plasma Silano gasoso (SiH4). Este processo requer temperaturas relativamente baixas, em torno de 200 ° C para 250°C. A poluição é realizada por misturas de gases contendo materiais correspondentes Contaminantes (como B2H6 para dopagem tipo p e PH3 para dopagem tipo n). dar Material a-Si:H contaminado, difusão reduzida de portadores de carga livre de junção O p-n direto não pode sobreviver para ajudar a gerar eletricidade. assim, impor uma camada intrínseca (não contaminada) i entre as camadas contaminadas n e p, Aumente a vida útil dos portadores de carga. É aqui que a luz é absorvida e produzida ocorre a carga. camada p e camada n apenas geram campos elétricos que separam os portadores de carga libertado. Se as células são depositadas em cima do vidro, como mostrado na Figura 2.78, Em seguida, crie a estrutura p-i-n característica. Alternativamente, eles também podem ser armazenados em A sequência inversa (n-i-p) na parte de trás. Isso permite a criação de módulos solares flexíveis Em qualquer tipo de substrato (em chapa metálica ou plástica). A maior desvantagem das células amorfas é sua baixa eficiência.

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